大(dà)家好，来看(kàn)一则突发消(xiāo)息。

　　美光公司在华销售的产(chǎn)品(pǐn)未通过网络安全审查(chá)

　　据网(wǎng)信(xìn)办消息(xī)，日(rì)前，网络安(ān)全(quán)审查办(bàn)公室依法对美光公司在(zài)华(huá)销售产(chǎn)品进行了网络安全(q42周是几个月，42周是几个月保质期uán)审查。

　　审(shěn)查(chá)发现，美光公司产(chǎn)品存在(zài)较严重网(wǎng)络(luò)安全问题隐患，对我国关键信息基础设(shè)施供应链(liàn)造成重大安全风险，影响(xiǎng)我国国家(jiā)安全。为此，网(wǎng)络安(ān)全审查(chá)办公(gōng)室(shì)依法作出(chū)不(bù)予(yǔ)通过网络(luò)安(ān)全审查的结论。按照《网络安全法》等(děng)法律法规，我国内关(guān)键信息基(jī)础设(shè)施(shī)的运营者应停止采(cǎi)购(gòu)美光公司(sī)产品。

　　此次对(duì)美光公司产品进(jìn)行网(wǎng)络安全审查，目的(de)是防范产(chǎn)品网(wǎng)络安全问题危(wēi)害国家关键信息(xī)基础设施安全，是(shì)维(wéi)护国家安全的(de)必要(yào)措施。中国坚定推进高(gāo)水平对外开放(fàng)，只要遵守中国法律法规要求(qiú)，欢迎(yíng)各(gè)国企业、各(gè)类(lèi)平(píng)台(tái)产品服务(wù)进入中国市(shì)场。

　　3月31日，中国网信网发文(wén)称，为保(bǎo)障关键信息基础设42周是几个月，42周是几个月保质期施(shī)供应链安全，防范(fàn)产品问题隐患(huàn)造(zào)成网络安全(quán)风险，维护国(guó)家安全(quán)，依据《中华人民(mín)共和国国家安全法(fǎ)》《中华人民共和(hé)国网络安全法》，网络安全(quán)审查(chá)办公(gōng)室按照(zhào)《网(wǎng)络(luò)安(ān)全审(shěn)查(chá)办法》，对美光公司（Micron）在华销售的产(c42周是几个月，42周是几个月保质期hǎn)品实(shí)施网(wǎng)络安全审查(chá)。

　　美(měi)光是美国(guó)的存储芯片行(xíng)业龙头(tóu)，也是全球存储芯片巨(jù)头之一(yī)，2022年(nián)收入来自(zì)中国市场收入从此前高(gāo)峰57％降至2022年约11％。根(gēn)据市场咨询机构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三星(xīng)电(diàn)子、 铠侠、西(xī)部(bù)数据(jù)、SK 海力士、美光、Solidigm 在全(quán)球 NAND Flash （闪存）市场份额约为(wèi) 96.76％，三(sān)星电子、 SK 海力士、美光(guāng)在全球 DRAM （内存）市场(chǎng)份额约为 94.35％。

　　A股(gǔ)上(shàng)市公(gōng)司中(zhōng)，江波(bō)龙、佰维存储等(děng)公(gōng)司披露过美光等国(guó)际(jì)存储厂商为公(gōng)司(sī)供应商。

　　美光在江波龙采购占比已经(jīng)显著下(xià)降，至少已经不是(shì)主要大供应商。

　　公(gōng)告显(xiǎn)示， 2021年美光位列江波龙第(dì)一大(dà)存储(chǔ)晶圆供应商，采购约31亿元，占比33.52％；2022年，江波龙第一大、第(dì)二大和第三大供应(yīng)商(shāng)采购金额(é)占(zhàn)比分别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江波龙已经在存(cún)储产(chǎn)业(yè)链上下游建立国(guó)内外广泛合作。2022年年报显示，江波龙(lóng)与(yǔ)三星、美光、西(xī)部数(shù)据等主要存储晶(jīng)圆原(yuán)厂签署了长期合约，确(què)保(bǎo)存储晶圆供应的稳定性，巩固公司在下(xià)游市(shì)场的供应优(yōu)势，公司(sī)也与(yǔ)国(guó)内国产(chǎn)存储(chǔ)晶圆(yuán)原厂武汉(hàn)长江存储、合肥长鑫保持(chí)良好的合作。

　　有券(quàn)商此前就分析(xī)，如果美光在(zài)中国区销售受到(dào)限制，或将导(dǎo)致下游客户转而采购(gòu)国(guó)外三星(xīng)、 SK海力(lì)士，国内(nèi)长江存储、长(zhǎng)鑫存储等竞对(duì)产品

　　分(fēn)析称，长存、长鑫的(de)上游设备厂(chǎng)或从中受益。存(cún)储器的生产已经演(yǎn)进到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工(gōng)艺。另(lìng)外(wài)NAND Flash现在已(yǐ)经进(jìn)入(rù)3D NAND时代，2 维到(dào)3维的结构转变使刻蚀(shí)和薄(báo)膜成为最关键、最大量(liàng)的加工设(shè)备(bèi)。3D NAND每层(céng)均需要经过薄(báo)膜沉积工艺步骤，同时(shí)刻蚀(shí)目前前沿要(yào)刻(kè)到 60：1的深孔，未来可(kě)能(néng)会(huì)更深的(de)孔或者沟槽，催生(shēng)更多设(shè)备需求(qiú)。据东京电子(zi)披露，薄膜沉积设备及刻蚀(shí)占3D NAND产线资本开支合计为75％。自长江存储被加入美国限制名(míng)单，设备(bèi)国产化进(jìn)程加(jiā)速，看(kàn)好拓(tuò)荆科技（薄膜沉(chén)积）等相关公司份额(é)提升(shēng)，以及存储业务占比较高的(de)华海清科（CMP）、盛美上海(hǎi)（清洗）等收(shōu)入增(zēng)长(zhǎng)。

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